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온세미, 초고효율 1200V IGBT 발표

온세미(Onsemi)는 업계 최고 수준의 성능으로 전도(conduction) 및 스위칭 손실을 최소화하는 새로운 초고효율 1200V IGBT를 발표했다.

Published

6개월 ago

03/21/2023

oseam

지능형 전력 및 센싱 기술의 선도 기업인 온세미는 업계 최고 수준의 성능으로 전도(conduction) 및 스위칭 손실을 최소화하는 새로운 초고효율 1200V 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(insulated-gate bipolar transistors, 이하 IGBT)를 발표했다고 밝혔다.

이 디바이스는 고속 스위칭 애플리케이션의 효율성을 향상시키기 위해 주로 태양광 인버터, 무정전 전원 공급 장치(UPS), 에너지 저장 장치 및 전기차(EV) 충전 전력 변환과 같은 에너지 인프라 애플리케이션에 적합하다.

온세미 파워 솔루션 그룹(onsemi Power Solution Group)의 선행개발 파워 디비전의 수석 부사장 겸 총괄인 아시프 자크와니(Asif Jakwani)는 “모든 높은 스위칭 주파수 에너지 인프라 애플리케이션에서는 효율성이 매우 중요하기 때문에, 새로운 범위의 IGBT에서 턴오프 스위칭 손실을 줄이고 최고의 스위칭 성능을 제공하는데 중점을 두었다. 이러한 업계 최고의 성능을 통해 설계자는 매우 까다로운 고전력 에너지 인프라 애플리케이션에서 가장 어려운 효율성 요구 사항을 충족할 수 있다”고 말했다.

FS7 디바이스에는 고속(S-시리즈) 및 중속(R-시리즈) 옵션이 포함된다. 모든 디바이스에는 낮은 VF, 조정된 스위칭 연성을 위한 최적화된 다이오드가 포함돼 있으며, 최대 175°C의 접합 온도(TJ)에서 작동할 수 있다. FGY75T120SWD와 같은 S-시리즈 디바이스는 현재 시장에서 사용 가능한 1200V IGBT 중에서 최고의 스위칭 성능을 제공한다.

매우 견고한 IGBT 플랫폼은 정격값의 최대 7배에 이르는 전류로 테스트되어, 동급 최고의 래치업 내성을 제공한다. R-시리즈는 전도 손실이 지배적인 모터 제어, 솔리드 스테이트 릴레이와 같은 중속 스위칭 애플리케이션에 최적화되어 있다.

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ST마이크로, 탁월한 안전성 및 신뢰성 지원 GaN 드라이버 출시

Published

3개월 ago

07/11/2023

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다양한 전자 애플리케이션과 고객들을 지원하는 세계적인 반도체 회사인 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 GaN(Gallium-Nitride) 트랜지스터를 지원하는 ST 최초의 갈바닉 절연 게이트 드라이버인 STGAP2GS를 출시했다. 이 드라이버는 견고한 안전성 및 전기적 보호 기능과 더불어 뛰어난 와이드 밴드갭(Wide Bandgap) 효율성이 필요한 애플리케이션에서 크기를 줄이고 부품원가(BoM)를 절감해준다.

이 단일 채널 드라이버는 최대 1,200V 또는 STGAP2GSN 협폭(narrow-body) 버전의 경우 1,700V의 고전압 레일에 연결할 수 있으며, 최대 15V의 게이트 구동 전압을 제공한다. 연결된 GaN 트랜지스터에 최대 3A의 게이트 전류를 싱킹 및 소싱할 수 있기 때문에 높은 동작 주파수에서도 정밀한 스위칭 전환을 보장한다.

STGAP2GS는 절연 장벽 전반에 걸쳐 전파 지연을 최소화해 단 45ns의 빠른 동적 응답을 보장한다. 또한, 전체 온도 범위에서 ±100V/ns의 dV/dt 과도 내성을 제공함으로써 원치 않는 트랜지스터 게이트 변경을 방지한다. STGAP2GS는 싱크 및 소스 핀을 별도로 사용할 수 있어 게이트 구동 동작 및 성능의 간편한 조정이 가능하다.

STGAP2GS는 광학 절연을 제공하는 데 구성요소가 따로 필요하지 않기 때문에 다양한 컨슈머 및 산업용 애플리케이션에서 효율적이고 견고한 GaN 기술을 손쉽게 적용할 수 있다. 주요 애플리케이션으로는 컴퓨터 서버의 전원공급장치, 공장 자동화 장비, 모터 드라이버, 태양광 및 풍력 발전 시스템, 가전제품, 가정용 팬, 무선 충전기 등이 있다.

이 드라이버는 갈바닉 절연 기능의 통합 외에도, GaN 기술에 최적화된 열 차단 및 UVLO(Under-Voltage Lockout) 등 시스템 보호 기능도 내장해 신뢰성과 견고성을 보장한다.

2종의 데모 보드인 EVSTGAP2GS 및 EVSTGAP2GSN은 표준 STGAP2GS와 협폭 버전의 STGAP2GSN을 ST의 75mΩ, 650V 인핸스먼트-모드(enhancement-Mode) GaN 트랜지스터인 SGT120R65AL과 결합시켜 사용자가 드라이버 기능을 평가할 수 있도록 한다.

SO-8 와이드바디 패키지 기반 STGAP2GS와 SO-8 협폭 패키지 기반 STGAP2GSN은 현재 모두 이용 가능하며, 가격은 1,000개 구매 시 1.42달러이다.

자세한 정보는 www.st.com/stgap2gs에서 확인할 수 있다.

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인피니언, 전기차 인버터용 HybridPACK™ Drive G2 전력 모듈 출시

인피니언은 자사의 차세대 칩 기술인 EDT3(Si IGBT)와 CoolSiC™ G2 MOSFET을 채택한 고성능 차량용 전력 모듈 HybridPACK™ Drive G2를 출시했다.

Published

5개월 ago

05/04/2023

oseam

인피니언 차세대 칩 기술 EDT3(Si IGBT)와 CoolSiC™ G2 MOSFET 채택

인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 자사의 차세대 칩 기술인 EDT3(Si IGBT)와 CoolSiC™ G2 MOSFET을 채택한 고성능 차량용 전력 모듈 HybridPACK™ Drive G2를 출시했다고 밝혔다.

인피니언의 HybridPACK Drive는 다양한 글로벌 전기차 플랫폼으로 현재까지 약 3백만 개의 판매 실적을 달성했다. 2017년 1세대(G1) 제품이 출시된 이후, 2021년에는 HybridPACK Drive Automotive CoolSiC MOSFET 제품군으로 확장되었다.

인피니언의 HybridPACK Drive G2는 고집적 B6 패키지의 HybridPACK Drive G1을 기반으로 했다. 그럼에도 동일한 풋프린트로 확장성을 제공하고 더 높은 전력대와 사용 편의성을 제공한다. HybridPACK Drive G2는 다양한 전류 정격과 전압(750V와 1200V)으로 제공된다.

회사측은 “HybridPACK Drive G2는 750V 및 1200V 전압대로 최대 300kW의 전력을 제공하며, 사용 편의성을 높이고 새로운 기능을 추가했다.”고 밝혔다. 예를들어 차세대 위상 전류 센서와 온칩 온도 센싱 등의 옵션을 통합해 시스템 비용을 낮출 수 있다.