CoolGaN 쇼트키 게이트(SG) HEMT의 성능 향상을 위한 EiceDRIVER

미디엄 전압 레벨 갈륨 나이트라이드(GaN) 스위치의 견고하고 효율적인 동작뿐만 아니라 R&D 노력 및 비용 최소화는 최신 전력 전자 시스템의 핵심 요구 사항이다. 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 전체 시스템 솔루션을 강화하기 위해 전략적으로 설계된 GaN 제품 포트폴리오에 따라 EiceDRIVER™ 1EDN71x6G HS 200V 단일 채널 게이트 드라이버 IC 제품군을 출시한다고 밝혔다.

이들 제품은 CoolGaN™ 쇼트키 게이트(SG) HEMT의 성능 향상을 위해 설계되었으며, 다른 GaN HEMT 및 실리콘 MOSFET과도 호환된다. 이들 게이트 드라이버는 DC-DC 컨버터, 모터 드라이브, 텔레콤, 서버, 로봇, 드론, 전동 공구, Class-D 오디오 증폭기 같은 다양한 애플리케이션에 적합하다.

1EDN71x6G 시리즈는 선택 가능한 풀업 및 풀다운 구동 능력 조절이 제공되므로 게이트 저항 없이 파형과 스위칭 속도를 최적화할 수 있다. 따라서 더 적은 BOM 부품으로 전력 스테이지 레이아웃을 소형화할 수 있다.

구동이 가장 강하고 빠른 1EDN7116G는 상당한 병렬연결이 있는 하프 브리지 구성에 적합하고, 구동이 가장 약하고 느린 1EDN7146G는 모터 드라이브같이 dv/dt가 제한적인 애플리케이션이나 다이(die)가 매우 작은 GaN(높은 RDS(on)과 낮은 Qg) HEMT와 사용하기에 적합하다. 또한 각각의 제품은 최소 권장 데드 타임, 최소 펄스 폭 및 전파 지연에 비례하여 각기 다른 블랭킹 시간으로 제공된다.

TDI(truly differential logic inputs, 완전 차동 로직 입력) 기능은 로우사이드 애플리케이션에서 접지 바운스로 인한 잘못된 트리거의 위험성을 제거하고 1EDN71x6G가 하이사이드 애플리케이션도 처리할 수 있도록 한다. 또한 모든 제품이 극히 강한 풀다운이 있는 액티브 밀러 클램프를 특징으로 하여 유도 턴온을 방지한다. 이는 특히 트랜지스터를 높은 밀러 비율로 구동할 때 게이트 구동 루프의 글리치에 대한 견고성을 높인다.

또한 1EDN71x6G는 액티브 부트스트랩 클램프 기능을 제공하여 데드 타임 동안 부트스트랩 커패시터 과충전을 방지한다. 이는 부트스트랩 전원 전압 레귤레이션을 달성하므로, 추가적인 레귤레이션 회로를 필요로 하지 않고 상측 트랜지스터 게이트를 보호한다. 또한 선택 기능으로서 음의 턴오프 전원 전압을 조절할 수 있는 프로그래머블 차지 펌프를 제공하므로, PCB 레이아웃을 완벽하게 최적화할 수 없는 경우 밀러 유도 턴온에 대한 내성을 높일 수 있다.

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