ST마이크로, 고효율 전력변환 지원 45W 및 150W MasterGaN 디바이스 출시

다양한 전자 애플리케이션과 고객들을 지원하는 세계적인 반도체 회사인 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 고효율 와이드 밴드갭(Wide-Bandgap) 기술로 보다 간편하게 이행할 수 있도록 최대 45W 및 150W 애플리케이션을 각각 지원하는 MasterGaN3 및 MasterGaN5 통합 전력 패키지를 출시했다.

65W ~ 400W 애플리케이션을 대상으로 하는 MasterGaN1, MasterGaN2, MasterGaN4에 이어 새롭게 추가된 이번 디바이스들은 스위칭 모드 전원공급장치, 충전기, 어댑터, 고전압 PFC(Power-Factor Correction), DC/DC 컨버터 설계 시 최적의 GaN(Gallium Nitride) 디바이스와 드라이버 솔루션을 선택할 수 있도록 유연성을 추가로 제공한다.

ST의 MasterGaN 개념은 일반 실리콘 MOSFET에서 GaN 와이드 밴드갭 전력 기술로 보다 간편하게 이행하게 해준다. 이 디바이스는 최적화된 고전압 게이트 드라이버와 관련된 안전 및 보호 회로, 그리고 두 개의 650V 전력 트랜지스터를 통합해 게이트 드라이버와 회로 레이아웃 설계 문제를 해결한다. 더 높은 스위칭 주파수를 제공하는 GaN 트랜지스터를 결합한 이 통합 디바이스는 실리콘 기반 설계에 비해 최대 80% 더 작으면서도 매우 견고하고 안정적인 전원공급장치를 구현할 수 있다.

MasterGaN3 디바이스의 GaN 전력 트랜지스터는 225mΩ 및 450mΩ의 비대칭 온저항(Rds(on))을 제공하기 때문에 소프트 스위칭 및 능동 정류 컨버터에 적합하다. MasterGaN5의 경우, 두 트랜지스터 모두 450mΩ Rds(on)을 제공하며, LLC 공진 및 능동 클램프 플라이백(Active Clamp Flyback)과 같은 토폴로지에 사용할 수 있다.

모빌리티(Mobility)의 미래 비즈니스 전략을 찾다
- 모빌리티타임즈 (mobilitytimes.net)